石墨烯被稱為“21世紀的神奇材料”。自2004年發(fā)現以來，這種單層碳原子材料一直因其眾多獨特性能而備受推崇。但目前大量生產的石墨烯有個缺點：質量不高?，F在，美國哥倫比亞大學和加拿大蒙特利爾大學聯(lián)合研究團隊開發(fā)出一種新方法，利用無氧化學氣相沉積（OF-CVD）法來凈化石墨烯，從而大規(guī)模生產高質量石墨烯。相關論文發(fā)表在29日的《自然》雜志上。

這項研究展示了微量氧如何影響石墨烯的生長速度，并首次確定了氧氣和石墨烯質量之間的聯(lián)系。實驗顯示，要利用化學氣相沉積（CVD）法合成高質量石墨烯，在生長過程中消除氧氣是關鍵。這一發(fā)現或是邁向大規(guī)模生產石墨烯的一個里程碑。

制造石墨烯的方法有兩種，其中之一是“透明膠帶法”。利用家用膠帶從石墨上“撕”出不同的層。這種方法剝離的石墨烯非常干凈，不含影響其性能的雜質，但只有幾十微米寬，只適合實驗室研究，不適合工業(yè)規(guī)模生產。

為了探索石墨烯生產如何從實驗室轉向現實應用，研究人員在大約15年前開發(fā)了一種合成大面積石墨烯的方法，這一過程稱為化學氣相沉積（CVD）生長法。在足夠高的溫度（約1000℃）下，讓含碳氣體（如甲烷）通過銅表面，使甲烷分解，碳原子重新排列，形成單一的蜂窩狀石墨烯層。CVD生長法可以擴大規(guī)模，制造幾厘米甚至幾米大的石墨烯樣品。然而，CVD生長法合成的樣品質量卻存在一致性欠佳、穩(wěn)定性不足等問題。

此次，研究團隊發(fā)現，每當消除微量氧時，石墨烯的生長速度會快得多。進一步分析后，他們開發(fā)出一種簡單模型，可以預測不同參數（氣壓、溫度等）下石墨烯的生長速度。

他們對現有CVD系統(tǒng)進行了改進，生產出的石墨烯質量非常高，與膠帶“撕”出的石墨烯幾乎相同，在磁場中顯示出分數量子霍爾效應。